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      金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)
      SMI有著悠久的制造MOCVD及各種配套零部件的歷史,如今隨著技術能力的擴展,可以幫助用戶把已有的MOCVD升級/轉換成另一種全新材料制備的設備。同時,系統也可以集成等離子體或超高真空。

      *可擴展的旋轉樣品托,從3”到34”或線性通過12”基片
      *完全自動控制
      *傳統操作模式
      *可兼容等離子體和超高真空
      *原位監測:溫度,沉積速率,彎曲度等
      *傳輸/裝載或機械臂操作基片
      *徑向反應分布控制,優化薄膜均勻性
      *反應物在進入反應腔之前是完全隔絕,避免預反應。
      *可定制化。

      制備材料種類:
      氧化物類
            TCOs, ZnOYBCO, Ga2O3, LaAlO, BST, PZT, CMO, Al2O3, Ti2O3, Ta2O5, LiNbO3等
      納米線類
            Si, SiGe, SiGeC, SiGeSn, SiGeSnC, etc. for batteries
            Si, SiGe, SiGeC, SiGeSn, SiGeSnC, etc. for thermoelectrics
            CNTs, ZnO, GaN等
      硫化物類Chalcogenides
            MoS2, WSe2, etc.
            GeS, CuS, GeSiTe, etc.
      III-V族
            砷化物,磷化物, 銻化物等
      II-VI族
        氮化物(GaN, AlN, InN, BN
        碳化物(SiC, Metal carbides)
        金剛石
        硅化物(Si, SiGe, SiGeSn)等

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